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常見問題

良好的薄膜須具備那些特性?影響的因素有哪些?

通俗的定義為在正常狀況下，其應(yīng)用功能不會失效。想要達到這個目的，一般而言這層薄膜必須具有堅牢的附著力、很低的內(nèi)應(yīng)力、針孔密度很少、夠強的機械性能、均勻的膜厚、以及足夠的抗化學(xué)侵蝕性。薄膜的特性主要受到沉積過程、成膜條件、接口層的形成和基材的影響，隨后的熱處理亦扮演重要角色。

何為化學(xué)氣相蒸鍍(CVD)?主要的優(yōu)缺點有哪些？

優(yōu)點: (1)真空度要求不高，甚至可以不需要真空，例如熱噴覆 (2)沉積速率快，大氣CVD可以達到1μm/min (3)與PVD比較的話。化學(xué)量論組成或合金的鍍膜較容易達成 (4)鍍膜的成份多樣化，如金屬、非金屬、半導(dǎo)體、光電材料、鉆石薄膜 (5)可以在復(fù)雜形狀的基材鍍膜，甚至滲入多孔的陶瓷 (6)厚度的均勻性良好，低壓CVD甚至可以同時鍍數(shù)十芯片缺點: (1)熱力學(xué)及化學(xué)反應(yīng)機制不易了解或不甚了解 (2)需要在高溫下進行，有些基材不能承受，甚至和鍍膜產(chǎn)生作用 (3)反應(yīng)氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性，處理時需小心 (4)反應(yīng)生成物可能殘余在鍍膜上，成為雜質(zhì) (5)基材的遮蔽很難

PVD化學(xué)氣相沉積法反應(yīng)步驟可區(qū)分為哪五個步驟?

(1)不同成份氣相前置反應(yīng)物由主流氣體進來，以擴散機制傳輸基板表面。理想狀況下，前置物在基板上的濃度是零，亦即在基板上立刻反應(yīng)，實際上并非如此。 (2)前置反應(yīng)物吸附在基板上，此時仍容許該前置物在基板上進行有限程度的表面橫向移動。 (3)前置物在基板上進行化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生沉積物的化學(xué)分子，然后經(jīng)積聚成核、遷移、成長等步驟，后聯(lián)合一連續(xù)的膜。 (4)把多余的前置物以及未成核的氣體生成物去吸附。 (5)被去吸附的氣體，以擴散機制傳輸?shù)街髁鳉庀啵⒔?jīng)傳送排出。

TiN氮化鈦鍍膜具有哪些特點?

(1)抗磨損 (2)具亮麗的外觀 (3)具安全性，可使用于外科及食品用具。 (4)具潤滑作用，可減少磨擦。 (5)具防蝕功能 (6)可承受高溫

真空蒸鍍可應(yīng)用在哪些產(chǎn)業(yè)?

1.鏡片的抗反射鍍膜(MgO、MgF2、SiO2等)，鏡片置于半球支頂，一次可鍍上百片以上。 2.金屬、合金或化合物鍍膜，應(yīng)用于微電子當(dāng)導(dǎo)線、電阻、光電功能等用途。 3.鍍鋁或鉭于絕緣物當(dāng)電容之電極。

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